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DKDP普克尔盒

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DKDP普克尔盒
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DKDP（KD2PO4）普克尔盒，又称为磷酸二氘钾普克尔盒或KD*P普克尔盒，是一种综合性能比较优秀的普克尔盒器件。该产品具有光学损耗低、消光比高、电光性能好和对环境的耐受性好等优点，可以用在电光调Q开关、高速摄像开关、军事和航空激光系统、染料激光器800 nm二、三倍频以及1064 nm 二、三、四倍频领域之中。DKDP晶体本身的易潮解性以及机械性能较差，使用时需注意在以下操作环境下使用：温度操作范围：10~50度，温度变化每20分钟不宜超过5度，环境湿度：<40% ,尽量搭配湿度控制装置（干燥器皿及干燥剂）使用，不使用时请存储于干燥箱内。

特点

  • 紧凑设计;
  • 便于调节;
  • 无静态双折射;
  • 无光折射损害;
  • 高抗光损伤阈值;
  • 优越的电光系数;
  • 对环境的耐受性好;
  • 密闭好，无粘合剂;
  • DKDP晶体的含氘量高（>99.0%）

标品

DKDP单晶开关

产品型号 通光孔径 晶体尺寸 外壳尺寸 λ/4电压 (@ 1064 nm), kV DC 电容, pF 透过率 使用波长 抗光伤, 10ns 10Hz 1064nm 消光比 电极方式
CLKDP-S1520-3542-AR 15mm Dia.15×20 mm3 Dia.35×42 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插针电极
CLKDP-S1220-3236-AR 12mm Dia.12×20 mm3 Dia.20×35 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 600MW/cm2 1000:1 端面插针电极
CLKDP-S1220-3240-AR 12mm Dia.12×20 mm3 Dia.35×42 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插针电极
CLKDP-S1220-2540-AR 12mm Dia.12×20 mm3 Dia.25×40 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插针电极
CLKDP-S1020-2532-AR 10mm Dia.10×20 mm3 Dia.25×32 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插针电极
CLKDP-S0816-1926-AR 8mm Dia.8×16 mm3 Dia.19×26 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插针电极
CLKDP-S0816-1926-SG 8mm Dia.8×16 mm3 Dia.19×26 mm 3.2kV 5pF >98% 1030nm-1064nm 750MW/cm2 1000:1 柱面插针电极
CLKDP-S0816-2028-AR 8mm Dia.8×16 mm3 Dia.20×28 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插针电极
CLKDP-S0816-1930-AR 8mm Dia.8×16 mm3 Dia.19×30 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 端面引线
CLKDP-S0918-1928-AR 8mm Dia.9×18 mm3 Dia.19×28 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 端面插针电极

DKDP双晶开关

产品型号 通光孔径 晶体尺寸 外壳尺寸 λ/4电压 (@ 1064 nm), kV DC 电容, pF 透过率 使用波长 抗光伤, 10ns 10Hz 1064nm 消光比 电极方式
CLKDP-D1220-3565-AR 12mm Dia.12×20 mm3, 一对 Dia.35x65mm 1.6kV 8pF >97.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 500:1 柱面插针电极

普克尔盒参数

插入损耗<0.2%
波前失真<λ/6 @633nm
电压消光比>2000:1(cp) >1500:1(cp)
准直<0.5°
四分之一波电压～3400V
表面质量20/10
电容6～10pF
通光孔径≥90%
涂料AR @1064nm(R<0.2%) 或按要求定制
损伤阈值1GW/cm2 10ns 10Hz @1064nm

光学特性

化学式KD2PO4
透明度范围200-1600nm
非线性系数d36=0.40pm/V
折射率no=1.4948,ne=1.4554
电光系数r41=8.8pm/V,r63=25pm/V
纵向半波电压Uπ=2.98KV(λ=546nm)
光学损伤阈值1GW/cm2 @10ns 1064nm
消光比>30dB
Sellmeier方程no2=1.9575544+0.2901391λ2/(λ2-0.0281399)-0.0282439
ne2=1.5005779+0.6276034λ2/(λ2-0.0131558)-0.0105406

结构图

电光器件DKDP器件结构图1-南京光宝-CRYLINK电光器件DKDP器件结构图2-南京光宝-CRYLINK

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